New trends in power electronics 0800-AR2POWELE

Wykład:
1) Wprowadzenie
- wymagana wiedza i warunki zaliczenia;
- krótki rys historyczny dotyczący rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy;
- typy półprzewodnikowych przyrządów mocy;
2) Materiały półprzewodnikowe o szerokim paśmie wzbronionym;
3) Nowoczesne tranzystory mocy na bazie SiC oraz GaN;
4) Topologie sterowników bramkowych;
5) Nowoczesne zastosowania przyrządów mocy na bazie materiałów o szerokim paśmie wzbronionym;
6) Straty mocy w półprzewodnikowych łącznikach;
7) Zastosowania nowoczesnych łączników półprzewodnikowych.

Laboratorium:
Modelowanie systemów przekształtnikowych z wykorzystaniem oprogramowania Plexim PLECS.

Całkowity nakład pracy studenta

Godziny realizowane z udziałem nauczycieli (45 godz.): - udział w wykładach – 30 godzin - udział w laboratoriach - 15 godzin Czas poświęcony na pracę indywidualną studenta (45 godz.): - przygotowanie do wykładu- 15 godzin - czytanie literatury- 15 godzin - przygotowanie do egzaminu – 15 godzin Łącznie: 90 godz. (3 ECTS)

Efekty uczenia się - wiedza

W1 - Posiada wiedzę z zakresu historii rozwoju półprzewodnikowych przyrządów mocy; W2 – Zna podstawowe typy tranzystorów stosowanych w energoelektronice; W3 – Posiada wiedzę w zakresie aktualnych trendów panujących w energoelektronice; W4 – Zna topologie aktualnie stosowanych sterowników bramkowych; W5 – Zdaje sobie sprawę z występowania strat mocy oraz ich źródła; W6 – Posiada wiedzę z zakresu modelowania systemów przekształtnikowych z zastosowaniem dedykowanego oprogramowania.

Efekty uczenia się - umiejętności

U1 – Potrafi sklasyfikować podstawowe typy tranzystorów moc, U2 – Umie dobrać odpowiedni sterownik bramkowy do danego typu tranzystora; U3 – Potrafi wskazać obszar zastosowania nowoczesnych łączników półprzewodnikowych; U4 – Potrafi oszacować straty mocy występujące w półprzewodnikowych przyrządach mocy; U5 – Potrafi wykorzystać odpowiednie oprogramowanie na potrzeby analizy i modelowania systemów przekształtnikowych.

Efekty uczenia się - kompetencje społeczne

K1 – zna ograniczenia półprzewodnikowych przyrządów mocy oraz sterowników bramkowych stosowanych w nowoczesnych układach przekształtnikowych; K2 – zna fizyczne ograniczenia systemów przekształtnikowych.

Metody dydaktyczne

- wykład informacyjny (konwencjonalny); - programy przeznaczone do symulacji obwodów energoelektronicznych

Metody dydaktyczne eksponujące

- symulacyjna (gier symulacyjnych)

Metody dydaktyczne podające

- wykład informacyjny (konwencjonalny)

Rodzaj przedmiotu

przedmiot fakultatywny

Wymagania wstępne

Zaawansowana wiedza z zakresu, energoelektroniki, elektroniki oraz teorii obwodów.

Koordynatorzy przedmiotu

Łukasz Niewiara

Kryteria oceniania

Metody oceniania:
Test wiedzy- W1, W2, W3, W4, U1, K1
Kryteria oceniania:
Wykład: egzamin
ndst - 0 - 60% maksymalnej liczby punktów,
dst- 61 - 70% maksymalnej liczby punktów,
dst plus - 71 - 80% maksymalnej liczby punktów,
db – 80 - 85% maksymalnej liczby punktów,
db plus - 86 - 90% maksymalnej liczby punktów,
bdb - 91 - 100% maksymalnej liczby punktów

Laboratorium: projekt
Zadanie projektowe realizowane w środowisku symulacyjnym Plexim PLECS dotyczące zagadnień związanych z systemami przekształtników energoelektronicznych.

Literatura

Literatura podstawowa:
1. A. M. Trzynadlowski, „Introduction to modern power electronics”, Third edition, Wiley.
2. M. Nowak, R. Barlik, „Poradnik inżyniera energoelektronika”, Tom 1, wydanie 2 Wydawnictwo naukowe PWN, Warszawa 2016
3. M. Nowak, R. Barlik, J. Rąbkowski, „Poradnik inżyniera energoelektronika”, Tom 2, wydanie 2 Wydawnictwo naukowe PWN, Warszawa 2015
4. A. Lidow, et. All, „GaN Transistors for Efficient Power Conversion, 3rd Edition”, Third edition, Wiley, 2019

Więcej informacji

Dodatkowe informacje (np. o kalendarzu rejestracji, prowadzących zajęcia, lokalizacji i terminach zajęć) mogą być dostępne w serwisie USOSweb:

Strona przedmiotu 0800-AR2POWELE w USOSweb